更新時(shí)間：2024-04-06 23:25:44作者：admin3
漢城，現(xiàn)稱“首爾”（SEOUL），是韓國(guó)的首都，有兩個(gè)機(jī)場(chǎng)。
SEL 是首爾的城市代碼，大多數(shù)指ICN(仁川）。
ICN是我們大多數(shù)知道的仁川國(guó)際機(jī)場(chǎng)。
GMP是金浦國(guó)際機(jī)場(chǎng)，是專門(mén)運(yùn)營(yíng)國(guó)內(nèi)線航班，還運(yùn)行虹橋（上海）和羽田（東京）的航班。
所以在大部分情況下SEL=ICN, 可是坐韓國(guó)國(guó)內(nèi)線或虹橋icn、羽田到首爾的航班SEL=GMP的。
國(guó)際護(hù)士會(huì)
International Council of Nurses
各國(guó)護(hù)士學(xué)會(huì)的聯(lián)盟，是獨(dú)立的非政府性的組織。英文簡(jiǎn)稱ICN。1899年建立，總部設(shè)在日內(nèi)瓦。 國(guó)際護(hù)士會(huì)創(chuàng)始人是芬威克有會(huì)員團(tuán)體101個(gè)，代表100多萬(wàn)護(hù)士 。 是世界上歷史最久的醫(yī)藥衛(wèi)生界的專業(yè)性國(guó)際組織，其宗旨是促進(jìn)各國(guó)護(hù)士學(xué)會(huì)的發(fā)展和壯大，提高護(hù)士地位及護(hù)理水平，并為各會(huì)員團(tuán)體提供一個(gè)媒介以表達(dá)其利益 、需要及關(guān)心的問(wèn)題 。每4年舉行一次國(guó)際大會(huì) 。出版雙月刊《國(guó)際護(hù)理綜述》和專業(yè)性書(shū)籍。頒布并定期修訂《護(hù)士準(zhǔn)則》。1922年中華護(hù)士會(huì)加入了國(guó)際護(hù)士會(huì)。
三極管全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。
三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。
三極管的使用：
選用晶體管一要符合設(shè)備及電路的要求，二要符合節(jié)約的原則。根據(jù)用途的不同，一般應(yīng)考慮以下幾個(gè)因素：工作頻率、集電極電流、耗散功率、電流放大系數(shù)、反向擊穿電壓、穩(wěn)定性及飽和壓降等。這些因素又具有相互制約的關(guān)系，在選管時(shí)應(yīng)抓住主要矛盾，兼顧次要因素。
低頻管的特征頻率fT一般在2.5MHz以下，而高頻管的fT都從幾十兆赫到幾百兆赫甚至更高。選管時(shí)應(yīng)使fT為工作頻率的3～10倍。原則上講，高頻管可以代換低頻管，但是高頻管的功率一般都比較小，動(dòng)態(tài)范圍窄，在代換時(shí)應(yīng)注意功率條件。
一般希望β選大一些，但也不是越大越好。β太高了容易引起自激振蕩，何況一般β高的管子工作多不穩(wěn)定，受溫度影響大。通常β多選40～100之間，但低噪聲高β值的管子(如1815、9011~9015等)，β值達(dá)數(shù)百時(shí)溫度穩(wěn)定性仍較好。另外，對(duì)整個(gè)電路來(lái)說(shuō)還應(yīng)該從各級(jí)的配合來(lái)選擇β。例如前級(jí)用β高的，后級(jí)就可以用β較低的管子；反之，前級(jí)用β較低的，后級(jí)就可以用β較高的管子。
集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓UCEO應(yīng)選得大于電源電壓。穿透電流越小，對(duì)溫度的穩(wěn)定性越好。普通硅管的穩(wěn)定性比鍺管好得多，但普通硅管的飽和壓降較鍺管為大，在某些電路中會(huì)影響電路的性能，應(yīng)根據(jù)電路的具體情況選用，選用晶體管的耗散功率時(shí)應(yīng)根據(jù)不同電路的要求留有一定的余量。
對(duì)高頻放大、中頻放大、振蕩器等電路用的晶體管，應(yīng)選用特征頻率fT高、極間電容較小的晶體管，以保證在高頻情況下仍有較高的功率增益和穩(wěn)定性
擴(kuò)展資料：
三極管放大原理：
1、發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子
電源Ub經(jīng)過(guò)電阻Rb加在發(fā)射結(jié)上，發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子(自由電子）不斷地越過(guò)發(fā)射結(jié)進(jìn)入基區(qū)，形成發(fā)射極電流Ie。同時(shí)基區(qū)多數(shù)載流子也向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散，但由于多數(shù)載流子濃度遠(yuǎn)低于發(fā)射區(qū)載流子濃度，可以不考慮這個(gè)電流，因此可以認(rèn)為發(fā)射結(jié)主要是電子流。
2、基區(qū)中電子的擴(kuò)散與復(fù)合
電子進(jìn)入基區(qū)后，先在靠近發(fā)射結(jié)的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區(qū)中向集電結(jié)擴(kuò)散，被集電結(jié)電場(chǎng)拉入集電區(qū)形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子（因?yàn)榛鶇^(qū)很薄）與基區(qū)的空穴復(fù)合，擴(kuò)散的電子流與復(fù)合電子流之比例決定了三極管的放大能力。
3、集電區(qū)收集電子
由于集電結(jié)外加反向電壓很大，這個(gè)反向電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)力將阻止集電區(qū)電子向基區(qū)擴(kuò)散，同時(shí)將擴(kuò)散到集電結(jié)附近的電子拉入集電區(qū)從而形成集電極主電流Icn。
另外集電區(qū)的少數(shù)載流子（空穴）也會(huì)產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng)，流向基區(qū)形成反向飽和電流，用Icbo來(lái)表示，其數(shù)值很小，但對(duì)溫度卻異常敏感。
參考資料來(lái)源：百度百科-三極管